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WE ENGINEER TO INNOVATE

Zr precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
ZAC 110 / 1 185 8.4 High-k
SZ-400 110 / 1 185 4.1
SZ-1200 145 / 1 221 18.5
SZ-1300 144 / 1 222 3.89
SZ-1400 163 / 1 242 7.28

Ge precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
GE-100 126 / 1 200 3.43 Dopant &
New memory
GE-200 135 / 1 208 11.3

Hf precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
HAC 93 / 1 178 14.3 High-k
SH-200 150 / 1 213 17.6
SH-300 141 / 1 209 6.46
SH-400 163 / 1 240 7.20

Nb precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
TBTDEN 91 / 1 207 High-k
SN-200 137 / 1 229
SN-300 - 189

Si precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
PS-100 155 / 1 239 - Dopant
PS-300 77 / 1 172
PS-400 - 164
제품명 Assay (%) Purity (%) Color 비고
OMCTS 99.984 99.99999 Colorless Low-k

Al precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
AL-300 98 / 1 181 6.9 High-k
AL-400 148 / 1 225 11.9

Ti precursor 기초 물성

제품명 V.P. ( ℃ / torr ) T½ (℃) 점도 (cP) 비고
TI-100 147 / 1 218 2.6 Barrier metal
TI-400 170 / 1 250 2.74

Mo precursor 기초 물성

자료 준비중 입니다


Co precursor 기초 물성

자료 준비중 입니다